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半导体硅片清洗剂—硅片/晶圆专用水基清洗剂—706

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远岸科技 · 706 半导体硅片清洗剂 说明书(TDS)

 

 

远岸科技 706 半导体硅片清洗剂

 

(硅片/晶圆专用水基清洗剂)

 

文件编号:YA‑706‑202605

版本:V1.0

 

 

 

一、产品概述

706 半导体硅片清洗剂为中性水基浓缩型清洗剂,专为半导体单晶硅/多晶硅、光伏硅片、晶圆切割/研磨/抛光后清洗设计;强力去除硅粉、抛光粉、切割油、研磨油、蜡质、残胶、指纹、有机物,对硅基底、氧化层、铝/铜金属线路无腐蚀、无咬蚀、无白斑。

 

适用场景:硅片镀膜前清洗、扩散前清洗、光刻前清洗、划片后清洗、光伏硅片制绒前清洗,光学玻璃镀膜前清洗,光学玻璃镀膜后清洗。

 

二、理化特性(典型值)

- 外观:无色至淡黄色透明液体

- pH(原液,25℃):10.5-11.5 (碱性液体)

- 密度:1.02±0.03 g/cm³

- 气味:轻微温和气味

- 闪点:无闪点、不燃不爆

- 稳定性:常温稳定,不分层、不沉淀

- 环保:符合 RoHS、REACH、无磷、低VOC

 

三、主要成分(安全复配)

 

- 非离子表面活性剂(低泡、强渗透)

- 高效螯合剂(除金属离子、防返沾)

- 有机缓蚀剂(保护硅/氧化层/金属)

- 去离子水(电子级)

- 无磷、无氨水、无强酸强碱、无ODS

 

四、清洗对象

- ✅ 线切割:切割油、冷却液残留、硅粉颗粒

- ✅ 研磨/抛光:氧化铈、抛光粉、抛光蜡、研磨油

- ✅ 光刻/封装:光刻胶残胶、红胶、UV胶、助焊剂

- ✅ 表面污染:指纹、汗渍、油污、尘粒、有机物膜

- ✅ 镀膜前:保证硅片完全亲水、无油膜、无颗粒

 

五、产品特点(优势)

 

1. 对硅片、SiO₂、Al、Cu、Au 无腐蚀,不伤膜、不脱膜、不发白

2. 高洁净:清洗后表面完全亲水、无水印、无残留,满足半导体/光伏高洁净要求

3. 低泡适配:低泡配方,兼容超声、喷淋、浸泡、兆声

4. 浓缩经济:1:10–1:50 稀释,寿命长、成本低

5. 环保易处理:可生物降解,废水简单处理即可排放

 

六、推荐使用工艺(标准)

 

1)配比(体积比)

 

- 常规油污/硅粉:706 : DIW = 1 : 20

- 重油污/抛光蜡:1 : 10

- 轻度除尘/维护:1 : 50

 

2)温度

 

- 颗粒/粉尘:45–60℃

- 油污/蜡/残胶:60–70℃(最佳)

 

3)时间

 

- 超声波:5–10 min

- 浸泡:10–20 min

- 喷淋:3–5 min

 

4)标准流程(硅片镀膜前)

 

1. 预洗:DIW 冲除大颗粒

2. 超声清洗:706(5%),50℃,5–10 min

3. 漂洗1:流动 DIW,2 min

4. 漂洗2:溢流 DIW,3 min

5. 脱水:IPA 或慢拉脱水

6. 烘干:80–100℃,无尘烘干

7. 检验:表面完全亲水、不挂水珠、无水印

 

七、禁忌与注意事项

- ❌ 禁止与强酸、强碱、含氯药剂混用

- ❌ 避免高温(>70℃)长时间浸泡

- ✅ 建议使用 PP/PE/PTFE 槽体

- ✅ 工作液定期过滤、及时除渣,延长寿命

- ✅ 皮肤接触:清水冲洗即可;眼睛接触:大量清水冲洗并就医

 

八、包装与储存

- 包装:25 kg/桶(塑料桶)、200 kg/桶   或吨桶

- 储存:阴凉通风、10–40℃,密封保存

- 保质期:12 个月(未开封)

 

九、质量标准

- 符合 JB/T 4323‑2019 水基清洗剂标准

- 符合 欧盟 RoHS、REACH 环保指令

 

十、售后服务

- 免费试样、免费小批量试洗

- 提供工艺指导、现场调试、技术支持

免责声明

TDS基于现有试验数据提供,仅供参考。用户应根据自身工艺、设备条件先行验证,确保适用性。

 

本资料是以远岸科技认为可靠的技术资料为基础的,免费提供,仅有技术背景的人员参考,使用者应自行处理并承担由此引起的责任。 由于使用条件超出本公司的控制范围,对于与本资料有关的任何使用,本公司无法提供直接或暗示的保证,且不对使用本资料负任何法律责任。本文中所述的任何资料都不应当成使用上的许可或侵犯任何权力的建议。

 

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